Ce este un flash-memorie

Tehnologia Flash a fost introdus în urmă cu aproximativ 20 de ani. La sfârșitul anilor '80 ai secolului trecut a început să clipească de memorie utilizat ca o alternativă la UV-EPROM. Din acest punct de interes pentru memoria flash a crescut în mod constant în fiecare an. Atenția acordată de memorie flash, este de înțeles - este cea mai rapida crestere a segmentului de piață semiconductoare. Fiecare piață de memorie flash an este în creștere cu mai mult de 15%, depășind creșterea generală a restului industriei de semiconductoare.

Luând la începutul carierei sale doar o nișă de piață mică flash, acum - una dintre principalele tehnologii de memorie semiconductoare, și putem spune cu încredere că, în următorii 5-7 ani vom asista la înflorirea tehnologiei de memorie flash.

Ce este un flash-memorie?

Memoria flash - un tip special de memorie non-volatilă semiconductoare reinscriptibile.

• Non-volatile - care nu necesită spațiu suplimentar de stocare a energiei (este necesară energie numai pentru înregistrare).
• Reinscriptibile - care să permită schimbarea (suprascriere) datele stocate în acesta.
• Semiconductor (în stare solidă) - care nu conțin piese mecanice în mișcare (ca discuri dure convenționale sau CD-uri), construite pe baza unor circuite integrate (IC-Chip).

Spre deosebire de multe alte tipuri de memorie semiconductoare, un condensator de celule de memorie flash nu conține - o celulă de memorie flash tipic include un singur tranzistor arhitectura deosebită. celule de memorie flash este perfect scalată, care se realizează nu numai prin avansuri în miniaturizarea de dimensiuni tranzistor, dar, de asemenea, din cauza descoperirilor constructive, care să permită o celulă de memorie flash pentru a stoca mai multe biți de informație.

Memoria flash este derivată din punct de vedere istoric ROM (Read Only Memory), memorie și funcții cum ar fi o memorie RAM (Random Access Memory). Aceste magazine flash în celulele de memorie similare cu celulele din DRAM. Spre deosebire de DRAM, datele atunci când alimentarea este scos din memoria flash nu este pierdut.

Înlocuiți SRAM și DRAM de memorie flash nu se produce din cauza a două caracteristici de memorie flash: Flash funcționează mult mai lent și are un număr limitat de cicluri de scriere (de la 10.000 la 1.000.000 pentru diferite tipuri).

Fiabilitate / Durabilitate: informațiile înregistrate în memoria flash pot fi stocate pentru un timp foarte lung (20 până la 100 de ani), și este capabil să reziste la sarcini mecanice ridicate (5-10 ori mai mare decât maximul permis pentru unitățile de hard disc convenționale).

Principalul avantaj al memoriei flash pentru a unităților de hard disk și suporturi de CD-ROM constă în faptul că memoria flash consumă în mod semnificativ (de aproximativ 10-20 de ori sau mai mult) mai puțină energie în timpul funcționării. Dispozitivele CD-ROM, hard-discuri, benzi și alte suporturi de înregistrare mecanice, cea mai mare parte a energiei merge la punerea in miscare mecanica a acestor dispozitive. În plus, memorie flash, cele mai multe alte mijloace mecanice compacte.

Notă: Considerăm numai memoria „pur“ fulger cu numărul de cicluri de citire / scriere mai mult de 10000. În plus față de „pur“ al strafulgerare OTP (One Time programabil) - memorie cu un singur ciclu de scriere, și MTP (Multiple de timp programabil) - până la 10.000 de cicluri . În plus față de numărul de scriere admis / șterge cicluri de diferența fundamentală dintre MTP și Flash nr. OTP este în mod substanțial diferit de aceste tipuri de arhitectură.

Mama tuturor instrument de luare a fost specialități departamentul de „Mecanică Fină Dispozitive“, care a fost deschis în 1961 la Facultatea de Inginerie Mecanică.
În 1976, a fost organizat departamentul opto-mecanic.