Ce este un flash-memorie 1

Flash-memorie - un tip special de memorie reinscriptibile semi-conductor non-volatilă.

Non-volatile - care nu necesită energie suplimentară pentru stocarea de date-TION (este necesară energie numai pentru înregistrare).

Reinscriptibile - care să permită schimbarea (suprascriere) datele stocate în acesta.

Semiconductor (în stare solidă) - nu mecanic care cuprinde mișcare în mișcare-părți (ca discuri dure convenționale sau CD), construit pe axele nova circuite (IC-Chip) integrat.

Spre deosebire de multe alte tipuri de memorie semiconductoare, celula de memorie flash nu conține un condensator - o celulă tipic de co-valoare de doar un singur tranzistor arhitectura specială de memorie flash. Celula de memorie flash, scalează bine, care se realizează nu numai prin avansuri în miniaturizarea de dimensiuni tranzistor, dar, de asemenea, ca urmare a constatărilor con-tive, permițând într-o singură celulă, memoria flash pentru a stoca mai multe biți de informație. Flash-memorie derivată din punct de vedere istoric ROM (Read Only Memory), memorie și funcții cum ar fi o memorie RAM (Random Access Memory). magazin de date Flash în celulele de memorie similare cu celulele din DRAM. Spre deosebire de DRAM, atunci când alimentarea este îndepărtată datele din memoria flash-pa-RAM nu este pierdut. Înlocuiți SRAM și DRAM de memorie flash-PROIS nu merge din cauza a două caracteristici ale Flash-memorie: funcționează mult miere, decât o expunere la medii și are un număr limitat de cicluri de scriere (de la 10.000 la 1.000.000 pentru diferite tipuri). Fiabilitate / Durabilitate: Informații, Vo ice-sanie pe flash-memorie, pot fi stocate pentru un timp foarte lung (20 până la 100 de ani), și este capabil să reziste la sarcini mecanice ridicate (5-10 ori mai mare decât maximul permis pentru unitățile de hard disc convenționale). Avantajul principal al Flash-memorie pentru hard disk-uri și uzură-lyami CD-ROM-ul este că acesta consumă în mod considerabil (aproximativ 10-20 de ori sau mai mult) mai puțină energie în timpul funcționării. Dispozitivele CD-ROM, hard-discuri, benzi și alte suporturi de înregistrare mecanice, cea mai mare parte a energiei merge la punerea în mișcare a mecanicii acestor gura-roystv. În plus, memorie flash compact decât majoritatea celorlalte suporturi mecanice-ing. semiconductor Flash-memorie istoric a avut loc de la unitatea Vågå-ROM, dar unitatea de memorie-ROM-ul nu este, ci are doar o organizație similară în ROM. Mai multe surse (atât interne, cât și pentru-eign) este adesea eronat atribuită ROM-ul de memorie flash. Flash ROM nu poate fi de cel puțin pentru că ROM (Read Only Memory) este tradus ca "memorie read-only". Despre orice posibilitate de suprascrierea în ROM-ul poate fi nici o întrebare! Mici la început, inexactitate nu atrage atenția asupra ei înșiși, dar cu avansarea tehnologiei, atunci când flash-memorie a devenit vyder-viață de până la 1 milion de cicluri de scriere, și a fost utilizat ca scop general, Naco-Pytel, acest defect în clasificarea a început să fie evidentă. Printre memorie semiconductoare, doar două tipuri sunt „Num-to“ ROM - această Masca-ROM și PROM. În contrast, EPROM, EEPROM și Flash sunt o clasă de memorie nevolatilă reinscriptibile (-ang liysky echivalent - memorie nevolatilă citire-scriere sau NVRWM).

1. low-cost gata programat cip (pentru volume mari de producție).

2. acces de mare viteză la celula de memorie.

3. fiabilitate ridicată a chip finit și electro-magnetice stabilitate câmpuri.

1. Incapacitatea de a scrie și să modifice datele după manufactura MENT.

2. Un ciclu de producție complex.

· PROM - (ROM programabil). sau ode ROM nokratno programabil. Ka-cinstește celule de memorie în acest tip de memorie utilizat în re fuzibil țeapă. Spre deosebire de Masca-ROM, PROM a apărut coș-posibilitate codifică TVA ( „arde prin“), celule în prezența unui dispozitiv special de-TION pentru scriere (programare). celulă PROM Programarea osuschest-S distrugere ( „ardere“) văluri fuzibili prin aplicarea unei tensiuni înalte. mostoyatelnoy Abilitatea de carne-in-formarea de înregistrare în acesta le face potrivite pentru piesa melkosery-TION și de producție. PROM practic full-Stu a ieșit din Perioada de MENT la sfârșitul anilor '80.

1. fiabilitate ridicată a chip finit și electro-magnetice stabilitate câmpuri.

2. Capacitatea de a programa chip finit, ceea ce este convenabil pentru producția unică și mici lot.

3. acces de mare viteză la celula de memorie.

1. Incapacitatea de a rescrie.

2. Un procent mare de căsătorie.

3. Aveti nevoie de o pregătire specială de căldură prelungită, fără de care fiabilitatea de stocare a fost scăzută.

· EPROM. Diverse surse de diferite decoda abbrevia rotund EPROM - ca un ROM Erasable Programmable ROM sau electric programabil (ROM programabilă care poate fi ștearsă sau un ROM programabil electric). În EPROM înainte de a înregistra un opțional merge produc estomparea (deci acum posibil pentru a suprascrie conținutul memoriei). Ștergeți celulele EPROM vypol-nyaetsya o dată pentru întregul cip de cip rafioletovymi ULT-radiații sau raze X pentru câteva năut E. Chip, ștergere, care este produs prin suflare cu lumină ultravioletă, a fost dezvoltat de Intel în 1971, și sunt cunoscute ca UV-EPROM (prefix UV (ultraviolet) - UV). Acestea conțin ferestre din sticlă de cuarț, care, la sfârșitul Wash lipit-TION proces.

Avantaj: Abilitatea de a suprascrie conținutul micro-circuit.

1. Un număr mic de cicluri de rescriere.

2. Imposibilitatea de a modifica o parte a datelor stocate.

3. mare probabilitate „nedoteret“ (care va duce în cele din urmă la eșec) sau cip supraexpusă sub lumină ultravioletă (așa-numita overerase - efectul de eliminare a excesului, „epuizare“), ceea ce poate reduce durata de viață a cip, și chiar să conducă la completa ei inutilitate.

· EEPROM (EEPROM, sau în format electronic EPROM) - electric STI-refugiu PROM au fost dezvoltate în 1979, în același Intel. În 1983 a venit primul eșantion de 16 Kbps realizate pe baza FLOTOX-tranzistori (plutitoare Poarta Tunel-oxidice - „plutitoare“ poarta cu Tun nelirovaniem în oxid).

Caracteristica principală a EEPROM (inclusiv Flash) de tipurile discutate anterior de memorie non-volatilă este o posibilitate de-Cart reprogramare pentru a se conecta la un autobuz ASIC dispozitiv standard de microprocesor întuneric. EEPROM-ul o oportunitate de a produce o singură celulă de ștergere prin intermediul curentului electric. Pentru a șterge EEPROM fiecare celulă în curs scris în mod automat la noile informații, și anume Puteți fi schimbate fără a afecta restul datelor în orice celulă. Procedura de ștergere este, de obicei, în mod semnificativ mai lung procedura de înregistrare.

Avantaje comparativ cu EPROM EEPROM:

1. durată de viață mai lungă.

2. mai ușor de manevrat.

Dezavantaj: costul ridicat.

· Flash (numele complet istoric Flash Erase EEPROM). Invențiile-de-memoria flash este adesea atribuită în mod eronat la Intel, care fac escală în același timp, în 1988. De fapt, memoria a fost dezvoltat pentru prima oară de Toshiba în 1984, iar în anul următor a început producția de 256 Kbit cip de memorie flash pe scară industrială. În 1988, Intel a dezvoltat propria versiune a Flash memorie.
În Flash-memorie este folosit oarecum diferit de tipul de celule EEPROM tranzistor. Flash-memorie punct de vedere tehnologic este legat ca EPROM și EEPROM-ul. Diferența principală dintre Flash-memorie EEPROM pentru rezidă în faptul că ștergerea conținutului celulelor se realizează fie la întregul cip, sau pentru un anumit bloc (bloc cluster sau pagina). Mărimea obișnuită a blocului este de 256 sau 512 octeți, dar unele tipuri de unitatea flash-memorie volum poate dos Tiga 256 KB. Trebuie remarcat faptul că există cip-OAPC-guvernare de lucru cu blocuri de diferite dimensiuni (pentru optimizarea Snack-rodeystviya). Se spală posibil ca un bloc, iar întregul conținut al micro-circuitului imediat. Astfel, în general, pentru a schimba un octet este mai întâi citit în octeți tampon întreaga unitate, care conține octetul care trebuie modificat, conținutul blocului șters, valoarea este schimbat din buffer, după care înregistrarea este făcută în tamponul bloc modificat. Această schemă reduce substanțial viteza de non-înregistrare cantități mari de date într-o locație de memorie arbitrară, dar ZNA, crește considerabil viteza la înregistrarea datelor în bucăți mari.

Avantajele Flash-memorie comparativ cu EEPROM:

1. Înregistrare mai mare viteză de acces secvențial, datorită faptului că ștergerea datelor în Flash în blocuri.

2. Costul de producție al Flash-memorie din cauza mai mici pentru mai pro-stativ Organizație.

Dezavantaj: intrare lentă în locații de memorie arbitrare.